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DMN3016LFDE-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：U-DFN2020-6（E 类）
技术参数：MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN3016LFDE-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 11A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25.1nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1415pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：730mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：U-DFN2020-6（E 类）现在可以订购DMN3016LFDE-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
