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基本参数:
参数详情:
制造商零件编号:DMN3016LFDE-13
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1415pF @ 15V
功率 - 最大值:730mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-UDFN2020(2x2)

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