图片信息
基本参数：
参数详情：
制造商零件编号：DMN3016LFDE-13
制造商：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1415pF @ 15V
功率 - 最大值：730mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-UDFN2020（2x2）
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