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1N4007GL-T

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1N4007GL-T技术参数详情:

1N4007GL-T是Diodes Incorporated推出的一款通用型硅整流二极管,采用经典的PN结半导体架构。其核心结构基于轴向引线DO-41封装,内部由单晶硅材料构成一个PN结,通过半导体材料的单向导电特性实现交流到直流的整流功能。这种成熟且经过广泛验证的架构,确保了器件在常规工作条件下的高可靠性与稳定性,是许多基础电源电路设计的基石。

该器件在电气性能上表现出色,其最大反向重复峰值电压高达1000V,能够有效承受高压环境下的反向偏置,为电路提供可靠的电压阻断能力。在正向导通方面,平均整流电流为1A,在1A的额定电流下,典型正向压降仅为1V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。其反向恢复时间约为2s,属于标准恢复速度,适用于工频(50/60Hz)及中低频整流应用。此外,在1000V反向电压下的反向漏电流典型值仅为5A,体现了良好的反向截止特性,而低至8pF的结电容(测试条件@4V, 1MHz)则有利于减少高频开关应用中的寄生效应。

在物理接口与封装方面,1N4007GL-T采用通孔安装形式的DO-41(DO-204AL)轴向封装。这种封装形式机械强度高,散热性能良好,便于通过波峰焊或手工焊接方式固定在印刷电路板上,非常适合在需要高可靠性和便于维护的工业及消费类产品中使用。虽然该产品目前已处于停产状态,但其设计成熟,库存及替代方案明确,通过正规的DIODES一级代理渠道,工程师仍可获得可靠的技术支持与供应链服务,以完成现有设计的维护或过渡。

凭借其高耐压、1A电流能力和稳健的封装,这款二极管广泛应用于各种AC-DC电源适配器、线性电源的桥式或全波整流电路、设备反接保护以及继电器和电机的续流保护等场景。它是处理交流市电整流、低压控制电路隔离等基础功率处理任务的经典选择,尤其在对成本敏感且对可靠性要求较高的消费电子、家用电器和工业控制设备中有着长期的应用历史。

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