Diodes（Zetex）中国代理商联接渠道
强大的Diodes芯片现货交付能力，助您成功
1N5261B-T是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）生产的轴向引线封装齐纳二极管，采用经典的DO-35玻璃封装。其核心架构基于成熟的平面硅工艺，通过精确的半导体掺杂在PN结处形成一个稳定的反向击穿电压区域。这种设计确保了在规定的反向偏置条件下，器件能够在标称47V的齐纳电压（Vz）附近提供一个高度稳定的电压基准，其电压容差控制在严格的±5%范围内，为电路设计提供了可靠的精度保障。
该器件的功能特点突出表现在其稳健的电压钳位与稳压能力上。其最大功耗为500mW，在典型工作条件下能够有效吸收瞬态过压能量，保护后续敏感电路。其动态阻抗（Zzt）最大值为105欧姆，这意味着在齐纳击穿区工作时，其两端电压随电流的变化相对平缓，稳压特性良好。此外，器件在36V反向电压下的反向泄漏电流典型值仅为100nA，展现了优异的反向截止特性；而在正向导通时，在200mA电流下的正向压降（Vf）为1.1V，这一参数对于评估其在某些特殊电路配置中的表现也具有重要意义。
在接口与关键参数方面，1N5261B-T采用通孔安装的轴向引线形式，兼容标准的DO-35封装尺寸，便于在穿孔电路板（PCB）上进行手工或自动插装焊接。其宽泛的工作温度范围覆盖-65°C至200°C，使其能够适应工业级乃至部分严苛环境下的应用需求，保证了系统在温度波动下的长期稳定性。对于需要稳定供应的项目，可以通过DIODES中国代理获取相关的产品库存与技术资料支持。
鉴于其稳定的47V基准电压和适中的功率处理能力，该齐纳二极管典型应用于需要电压参考、过压保护或简单电压调节的模拟与数字电路中。常见的应用场景包括电源输出端的次级稳压或钳位、作为电压比较器的参考源、以及在通信接口或信号线路中用于吸收静电放电（ESD）或感应电压尖峰，从而提升整个电子系统的可靠性与耐用性。
