2N7002WKX-13

2N7002WKX-13是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型平面MOSFET工艺的功率开关器件。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化栅极氧化层和沟道设计，在紧凑的封装内实现了可靠的电压控制与电流开关能力。该器件采用表面贴装型SOT-323封装，具有优异的散热性能和机械强度，适合自动化贴装生产。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和115mA的连续漏极电流(Id)能力，为低功率开关应用提供了充足的电压裕量和电流处理能力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，在5V或10V的驱动电压下即可实现完全导通，展现出良好的逻辑电平兼容性，尤其适合由微控制器或数字逻辑电路直接驱动。在典型工作条件下，其导通电阻(RdsOn)在5V Vgs、50mA Id时最大值为7.5欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。

在电气参数方面，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极过压能力。输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为50pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度较快，同时减少了驱动电路的负担。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合200mW的最大功耗能力，确保了在宽温环境和一定功率耗散下的稳定运行。值得注意的是，该器件属于Automotive, AEC-Q101产品系列，意味着其设计、制造和测试遵循了汽车电子可靠性标准，虽然目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍具参考价值。对于库存或替代需求，用户可咨询专业的DIODES中国代理以获取进一步支持。

凭借其小尺寸、低驱动电压和良好的开关特性，2N7002WKX-13非常适用于空间受限、由低压逻辑控制的低电流开关场景。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理、信号切换与负载开关，例如电池供电设备的电路隔离、LED指示灯驱动或小型继电器的替代。在汽车电子领域，其符合AEC-Q101标准的历史背景也使其曾适用于要求高可靠性的辅助控制系统，如传感器信号调理、低功率执行器驱动等非核心模块。

• 型号:2N7002WKX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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