BS107P

BS107P是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关控制。其栅极结构经过优化，能够在较低的驱动电压下有效控制沟道导通，内部寄生电容参数也针对开关应用进行了平衡设计，有助于在中小电流应用中实现快速的开关转换。

这款MOSFET的关键特性在于其200V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对反激式拓扑、离线式电源辅助绕组等场合可能出现的电压尖峰。同时，其导通电阻（Rds(on)）在5V栅极驱动电压、100mA漏极电流条件下典型值为30欧姆，结合仅120mA的连续漏极电流（Id）额定值，明确界定了其适用于小功率信号切换或驱动应用的范围。器件的栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了较强的栅极驱动容错能力，而仅需2.6V的驱动电压即可开启，确保了与低压微控制器或逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动电路设计。

在接口与封装方面，BS107P采用经典的TO-92-3直插封装，这是一种广泛使用、易于手工焊接和原型制作的封装形式。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境温度要求。最大功耗为500mW，设计时需结合环境温度和散热条件进行热管理考量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的DIODES授权代理进行采购是确保产品原装正品和获取完整技术资料的有效途径。

基于上述技术参数，BS107P非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的启动或辅助电源电路、小功率AC-DC转换器、电子镇流器以及各种需要高压小电流开关控制的场合，例如继电器或LED灯带的驱动。其高耐压、低驱动门槛的特性，使其成为工程师在设计和升级低功耗、高电压隔离的模拟或数字开关电路时，一个经济且可靠的基础元件选择。

• 型号:BS107P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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