BS107PSTOA

BS107PSTOA是Diodes Incorporated推出的一款采用经典E-Line（TO-92兼容）通孔封装的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件基于成熟的MOSFET技术构建，其核心架构旨在提供可靠的电压控制开关功能。其设计重点在于在中等电压和电流条件下实现稳定的性能，其200V的漏源电压（Vdss）额定值和120mA的连续漏极电流（Id）能力，使其成为适用于多种中压隔离或驱动场景的半导体解决方案。

该MOSFET的功能特点围绕其高压能力与低驱动需求的平衡展开。其栅极驱动电压范围较宽，在2.6V至5V的Vgs条件下即可实现有效导通，这降低了周边驱动电路的设计复杂度。在典型工作点（100mA， 5V Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）最大值为30欧姆，确保了在开关状态下的功耗处于可控范围。此外，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统鲁棒性。其功率耗散最大值为500mW，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应相对严苛的环境条件。

在接口与关键参数方面，BS107PSTOA采用标准的三引脚通孔封装，便于在原型设计或需要高可靠性的通孔PCB板上进行安装和焊接。其电气参数定义清晰，例如明确的Vdss、Id和Rds(On)值，为工程师进行准确的电路设计和热评估提供了依据。尽管该产品目前已处于停产状态，但其规格参数在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过正规的DIODES代理渠道咨询库存或替代方案信息。

考虑到其电压和电流规格，BS107PSTOA典型的应用场景包括离线式开关电源的辅助启动电路、电子镇流器、继电器或小型电磁阀的驱动接口，以及需要高压小电流开关功能的工业控制模块。其TO-92兼容封装形式也常见于消费电子、家电控制板等对成本敏感且空间要求不极端苛刻的领域，为设计人员提供了一个经过验证的晶体管选项。

• 型号:BS107PSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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