BS107PSTZ

BS107PSTZ是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其栅极采用金属氧化物半导体结构，通过施加在栅源之间的电压来控制导电沟道的形成与关断，从而实现高效的开关控制。其核心设计旨在提供可靠的电压阻断能力和稳定的开关特性，适用于需要精确信号控制或小功率开关的电路环境。

该器件的一个显著特点是其200V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够承受较高的电压应力，为电路提供良好的保护裕量。在导通状态下，当栅源驱动电压(Vgs)为5V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，有助于减少导通损耗。其栅极阈值电压(Vgs(th))设计适用于标准的逻辑电平驱动，方便与微控制器或数字逻辑电路直接接口。此外，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其输入电容(Ciss)较小，有利于实现快速的开关切换，减少开关过程中的动态损耗。

在电气参数方面，BS107PSTZ在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为120mA，最大功耗为500mW。其导通电阻在100mA漏极电流、5V栅源电压条件下最大值为30欧姆。接口采用经典的通孔安装形式的E-Line（TO-92兼容）封装，具有良好的机械强度和成熟的焊接工艺兼容性，便于在实验板或PCB上进行安装。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛温度环境下的稳定运行。该器件属于Automotive, AEC-Q101产品系列，意味着其设计、制造和测试遵循了汽车电子委员会的相关可靠性标准，适用于对质量和可靠性有高要求的应用。

凭借其耐压能力、逻辑电平驱动特性和宽温工作范围，BS107PSTZ非常适合于多种低功率开关和信号调理应用场景。例如，在汽车电子系统中，可用于车身控制模块、传感器接口电路或低侧开关；在工业控制领域，适用于PLC I/O模块、继电器驱动或小功率电源的开关调节；在消费电子中，可用于电池管理、LED驱动或音频设备的信号切换。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取该产品及相关设计资源。

• 型号:BS107PSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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