BS170PSTOA

BS170PSTOA是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件。其核心架构基于成熟的平面型MOSFET工艺，在硅衬底上构建了金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，这种封装形式在原型设计、教育实验和传统电路板中具有广泛的兼容性和易于手工焊接的特点，为工程师提供了灵活的设计选择。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和270mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够胜任中低电压、小电流的开关或放大应用。其栅极驱动特性较为友好，在10V的栅源电压下即可获得较低的导通电阻，典型条件下导通电阻最大值仅为5欧姆@200mA, 10V。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V @ 1mA，这意味着它能够与常见的5V逻辑电平（如TTL或CMOS）较好地兼容，简化了驱动电路的设计。器件的输入电容(Ciss)较低，最大值仅为60pF @ 10V，这有助于实现较快的开关速度并降低驱动电路的功耗。

在电气参数方面，BS170PSTOA展现了可靠的性能边界。其栅源电压可承受±20V的最大值，为栅极驱动提供了安全裕量。器件的最大功率耗散为625mW（Ta），结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），确保了在多种环境条件下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过正规的DIODES代理商获取相关技术支持和库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或现有库存的可用性。

凭借其参数特性，BS170PSTOA非常适用于多种中低功率场景。例如，在模拟电路或数字电路中作为小信号开关或放大器，在电源管理模块中用于低侧开关或负载切换，亦或在电机驱动、继电器驱动等场合中控制小型感性负载。其TO-92兼容封装使其在面包板实验、学生电子套件、消费电子产品辅助电路及工业控制板的低功率接口部分都能找到用武之地，是一款经典且经过验证的通用型小功率N沟道MOSFET解决方案。

• 型号:BS170PSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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