BS170PSTOB

BS170PSTOB是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用经典的平面硅栅MOS工艺制造，其核心是一个电压控制的半导体开关。当栅极（G）相对于源极（S）施加的电压超过其阈值电压（Vgs(th)）时，会在P型衬底表面感应出N型导电沟道，从而允许电流在漏极（D）和源极（S）之间流通。其结构设计优化了电荷载流子的迁移路径，旨在实现快速、高效的开关控制。

这款MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，提供了良好的电压裕度，增强了在感性负载或电压尖峰环境下的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为270mA，适用于中小电流的开关或放大应用。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=200mA的条件下典型值为5欧姆，较低的导通电阻有助于减少通态损耗，提升整体能效。栅极阈值电压最大值为3V（Id=1mA时），这意味着它能够与标准的5V或3.3V逻辑电平（如CMOS或TTL）直接兼容，简化了驱动电路设计。此外，其输入电容（Ciss）在Vds=10V时最大值为60pF，较小的栅极电荷需求有助于实现更快的开关速度和更低的驱动功耗。

在接口与封装方面，BS170PSTOB采用通孔安装的E-Line封装，外形与常见的TO-92三极管封装兼容，便于在穿孔式PCB板上进行手工或自动焊接。其栅极允许承受的最大电压为±20V，为驱动电路提供了安全缓冲。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境或宽温应用中的稳定性。其最大功耗为625mW（Ta=25°C），设计时需结合散热条件考虑实际功率降额。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其电压、电流规格及封装形式，BS170PSTOB非常适合用于各类低功率开关与信号处理场景。典型应用包括作为微控制器或逻辑电路的输出级，驱动小型继电器、LED指示灯或蜂鸣器；在模拟电路中用作信号切换或调制；亦可用于电源管理模块中的辅助开关或保护电路。其E-Line封装和广泛的参数兼容性，使其成为教育实验、原型开发以及消费电子、工业控制等领域中经典且经济的选择。

• 型号:BS170PSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 现在可以订购BS170PSTOB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。