BS250PSTOB

BS250PSTOB是Diodes Incorporated推出的一款采用P沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，为设计工程师在空间和成本受限的应用中提供了一个可靠的解决方案。其核心基于成熟的平面MOSFET工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和一致性。

该MOSFET的电气特性使其在低压控制电路中表现出色。其最大漏源电压（Vdss）为45V，在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为230mA。一个关键特性在于其较低的栅极驱动要求，栅源阈值电压Vgs(th)最大值为3.5V @ 1mA，这意味着它能够被标准的3.3V或5V逻辑电平轻松且高效地驱动，简化了驱动电路设计。在10V的Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值为14欧姆 @ 200mA，配合700mW的最大功耗能力，使其在中小电流开关应用中能够有效控制导通损耗和温升。

在动态性能方面，BS250PSTOB的输入电容（Ciss）在10V Vds下最大值为60pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极保护余量。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于工业级温度环境的要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES中国代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其参数组合，BS250PSTOB非常适合用于各种负载切换、信号路由和电源管理功能。典型应用场景包括便携式设备中的电源隔离、电池供电系统的负载开关、低功率DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及作为模拟开关或电平转换器中的关键元件。其通孔封装形式也使其在原型设计、教育实验套件以及需要高可靠性的工业控制板卡中占有一席之地。

• 型号:BS250PSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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