BS870-7-F

BS870-7-F是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供高效的开关控制和信号放大功能，适用于空间受限的现代电子设备。

该器件具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在10V的栅源驱动电压下，其导通电阻(Rds(On))典型值较低，在200mA的漏极电流下最大值为5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了设计。

在接口与参数方面，BS870-7-F的连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为250mA，能够满足中小功率负载的开关需求。其输入电容(Ciss)在10V偏压下最大仅为50pF，较低的栅极电荷特性使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具有±20V的栅源电压耐受能力，提供了坚固的ESD保护，增强了在恶劣环境下的鲁棒性。其最大功耗为300mW，设计时需考虑适当的散热措施。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压能力、低导通电阻、快速开关特性以及与逻辑电平兼容的驱动，BS870-7-F非常适合一系列应用场景。它常被用于便携式设备的负载开关、电源管理电路中的DC-DC转换器同步整流或功率路径控制，也适用于电池供电系统、电机驱动模块中的预驱动级，以及通信设备、工业控制模块中的信号切换和放大电路。其SOT-23-3封装使其成为对PCB空间有严格要求的紧凑型设计的理想选择。

• 型号:BS870-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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