BS870-7

BS870-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装。该器件基于成熟的MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现低电压驱动下的高效开关控制。其栅极结构经过优化，能够在10V的驱动电压下实现较低的导通电阻，同时其输入电容被控制在较低水平，这有助于减少开关过程中的损耗并提升整体系统的响应速度。

在功能特性方面，BS870-7具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在多种电压环境中提供了可靠的安全裕度。其连续漏极电流（Id）在环境温度25°C下额定为250mA，适用于中小功率的开关或线性放大应用。一个关键特性是其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs和200mA Id条件下典型值仅为5欧姆，这直接关系到器件导通状态下的功率损耗，较低的Rds(On)意味着更高的能效和更少的热量产生。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与常见逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，便于直接驱动。

该器件的接口与电气参数设计平衡了性能与鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗栅极过压冲击的能力。在动态特性方面，输入电容（Ciss）在10V Vds下最大为50pF，较小的电容值有助于实现更快的开关频率并降低驱动电路的负担。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的工业或汽车电子环境。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得正品器件和完整的技术支持。

基于其参数组合，BS870-7非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。典型应用场景包括便携式设备中的电源管理模块，如负载开关或DC-DC转换器中的同步整流侧（在适当功率范围内）；在工业控制领域，可用于PLC模块的I/O端口驱动、小型继电器或指示灯的开关控制；此外，在汽车电子中，如车身控制模块（BCM）里对低功率负载（如LED照明、传感器电源）的切换，其宽温范围和60V的耐压能力提供了必要的可靠性保障。

• 型号:BS870-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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