BSS123ATC

作为一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率器件，BSS123ATC在紧凑的封装内实现了可靠的性能。其核心架构基于平面型MOSFET工艺，通过优化的栅极氧化层和沟道设计，确保了在较宽电压范围内的稳定开关特性。该器件采用表面贴装型SOT-23-3封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产装配，适合高密度电路板布局。

在电气性能方面，该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，为低压至中压应用提供了充足的裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源驱动电压(Vgs)和170mA漏极电流(Id)条件下，典型值仅为6欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，结合4.5V至10V的标准逻辑电平驱动范围，使其能够被微控制器或数字逻辑电路轻松、高效地驱动，简化了外围驱动电路的设计。

该MOSFET的动态特性同样值得关注，其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为25pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统在高频应用中的效率。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了良好的栅极过压保护能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境或宽温应用中的稳定运行，最大功率耗散为360mW。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

凭借其参数特性，BSS123ATC非常适合用于需要小型化、高效率的开关控制场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电池管理电路中的保护开关、DC-DC转换器中的低频开关、信号路径切换以及继电器和螺线管的驱动替代。其100V的耐压能力也使其适用于一些离线式电源的辅助启动电路或低功率反激式转换器中的初级侧开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的验证历史，使其在存量产品维护或对特定批次有要求的应用中仍具参考价值。

• 型号:BSS123ATC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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