BSS123W-7

BSS123W-7是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，其核心架构基于成熟的硅基工艺，在微小的芯片面积上实现了对沟道电流的有效控制。其栅极结构采用金属氧化物半导体设计，确保了良好的绝缘性和快速的开关响应，同时，优化的内部布局有助于降低寄生参数，提升高频性能。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，这为其在离线式电源适配器、DC-DC转换器等存在电压尖峰的应用中提供了可靠的安全裕量。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为170mA，适合中小功率的开关与线性调节任务。在驱动方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为2V（测试条件为Id=1mA），表明它能够与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器GPIO）良好兼容，实现便捷的直接驱动。为了获得最低的导通损耗，建议在栅源电压(Vgs)为10V时进行驱动，此时其导通电阻(Rds(on))最大值为6欧姆（测试条件为Id=170mA）。

在动态特性方面，BSS123W-7的输入电容(Ciss)在Vds=25V时最大值为60pF，较低的电容值有助于减少开关过程中的充放电时间，从而提升开关速度并降低驱动损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，为驱动电路的设计提供了灵活性并增强了抗干扰能力。器件的最大功耗为200mW (Ta)，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该型号的技术支持与供货信息。

凭借其高耐压、逻辑电平驱动兼容性以及SOT-323封装带来的高空间利用率，该器件非常适合用于空间受限的便携式设备、电池管理系统中的保护电路、小功率电机驱动、LED背光驱动以及各类消费电子产品的负载开关。其设计平衡了性能、尺寸与成本，是工程师在需要高效、紧凑的功率开关解决方案时的经典选择之一。

• 型号:BSS123W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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