BSS138-7-F

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造的N沟道功率开关器件，BSS138-7-F在紧凑的SOT-23-3封装内集成了高效的功率处理能力。其核心架构基于成熟的平面硅工艺，通过优化的沟道设计和栅极氧化层，实现了在低栅极驱动电压下的快速开关与低导通损耗。这种设计确保了器件在广泛的温度范围内（-55°C至150°C结温）保持稳定的电气特性，为电路设计提供了可靠的性能基础。

该器件的一个显著功能特点是其低阈值电压（Vgs(th)）与低导通电阻（Rds(on)）的出色平衡。在仅10V的栅源驱动电压下，其导通电阻最大值仅为3.5欧姆（测试条件为220mA漏极电流），这使得它在处理高达200mA连续漏极电流时，能够有效降低传导损耗，提升整体系统效率。同时，其最大栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了良好的栅极驱动裕度和抗干扰能力。其输入电容（Ciss）典型值较低，有助于减少开关过程中的栅极电荷需求，从而简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与关键参数方面，BSS138-7-F提供了50V的漏源击穿电压（Vdss），为低压电源轨的开关和信号切换应用提供了充足的安全余量。其表面贴装（SMT）的SOT-23-3封装形式，不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度组装的需求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和全面的设计资源。器件的功率耗散能力为300mW，结合其宽工作温度范围，使其能够适应从消费电子到工业控制等多种环境。

基于上述特性，该MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括便携式设备中的负载开关、电源管理模块的功率路径控制、信号电平转换电路，以及作为微控制器GPIO口的驱动扩展，用于控制继电器、LED或其他低功率负载。其快速开关特性也使其可用于低侧开关配置或简单的DC-DC转换器中的同步整流环节。总之，BSS138-7-F以其小尺寸、低功耗和高可靠性，成为工程师在低压、小电流开关应用中的理想选择。

• 型号:BSS138-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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