BSS138-7

BSS138-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心架构基于成熟的硅基MOSFET技术，通过优化栅极氧化层和沟道设计，实现了在低栅极驱动电压下的高效开关与信号放大功能。其内部结构确保了在有限的芯片面积内，实现良好的电气隔离与热性能，为空间受限的便携式或高密度电路板设计提供了可靠的解决方案。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在小信号开关和负载驱动应用中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)高达50V，提供了足够的电压裕量，适用于多种低压至中压的电路环境。在驱动方面，其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，最大值为1.5V @ 250A，这意味着它能够与3.3V或5V的逻辑电平（如微控制器GPIO）直接兼容，无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计。在10V的栅源电压(Vgs)驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为3.5欧姆（测试条件为220mA），这有助于在导通状态下降低功耗和压降，提升整体能效。此外，其输入电容(Ciss)最大值仅为50pF @ 10V，较小的栅极电荷需求使得开关速度较快，开关损耗较低，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为200mA，足以驱动LED、小型继电器或作为信号路径的开关。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，增强了栅极驱动的鲁棒性。器件的最大功耗为300mW（Ta），结合其SOT-23封装，要求在设计时充分考虑PCB的散热布局。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻工业环境或消费电子产品中的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的DIODES代理渠道，工程师依然可以获取库存或寻找功能兼容的替代方案，以保障现有项目的维护与生产。

基于其低电压驱动、快速开关和紧凑封装的特点，BSS138-7非常适合应用于对空间和功耗敏感的场景。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理、负载开关和信号隔离，以及作为微控制器接口电路中的电平转换或GPIO扩流驱动器。在工业控制领域，它可用于PLC模块的I/O端口保护、传感器信号调理电路中的开关元件。此外，在通信模块、电池管理系统(BMS)以及各类消费电子产品的板级电源分配网络中，也能发挥其小信号控制与切换的作用。

• 型号:BSS138-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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