BSS138Q-7-F

作为一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管，BSS138Q-7-F在微小的SOT-23-3封装内集成了高性能的半导体结构。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过精密的氧化物层和沟道设计，实现了对栅极电压的快速响应和高效的电能控制。该器件在栅极与源极之间施加正向电压时形成导电沟道，其设计优化了载流子迁移率，从而在较低的栅极驱动电压下即可获得较低的导通电阻。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(V_DSS)高达50V，为低压电路提供了充裕的耐压裕量，增强了系统在电压瞬变情况下的可靠性。在10V栅源电压(V_GS)驱动下，其导通电阻(R_DS(on))典型值仅为3.5欧姆（在220mA条件下），这一特性对于需要高效功率传输和最小化导通损耗的应用至关重要。同时，其栅极阈值电压(V_GS(th))最大值为1.5V，表明该器件与3.3V及5V逻辑电平具有良好的兼容性，可以直接由微控制器或逻辑芯片驱动，简化了外围电路设计。

在接口与参数方面，BSS138Q-7-F的连续漏极电流(I_D)额定值为200mA，足以驱动继电器线圈、小型电机、LED灯串等常见负载。其输入电容(C_iss)最大值仅为50pF，结合较低的栅极电荷，确保了快速的开关速度，有利于在高频开关电路中降低开关损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极过压能力。其紧凑的SOT-23-3表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也适合自动化贴片生产，提升制造效率。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道进行采购。

凭借其小尺寸、低导通电阻和良好的逻辑电平驱动能力，BSS138Q-7-F非常适合广泛应用于各类便携式电子设备、物联网模块及消费类电子产品中。典型应用场景包括作为负载开关控制电源轨的通断，在电池管理系统中用于防止反接或路径管理，在信号链路上实现电平转换或模拟开关功能，以及驱动小型有源器件。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也使其能够适应工业控制、汽车电子（非核心区域）等对温度要求更为严苛的环境。

• 型号:BSS138Q-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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