BSS138TA

作为一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管，BSS138TA在微小的SOT-23-3封装内集成了高性能的开关与控制能力。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过精密的沟道设计与栅极氧化层控制，实现了在低栅极驱动电压下的高效导通，同时确保了器件在高达50V的漏源电压下的稳定与可靠。这种设计平衡了性能与成本，使其成为众多低压、小电流应用场景中的理想选择。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的开关性能与低功耗特性上。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅源电压、220mA漏极电流条件下仅为3.5欧姆，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，意味着它能够与绝大多数3.3V或5V逻辑电平的微控制器或数字电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。高达±20V的栅源电压耐受能力也为其在复杂噪声环境下的稳定工作提供了保障。

在电气参数与接口方面，BSS138TA提供了全面的规格保障。其连续漏极电流（Id）额定值为200mA，足以驱动继电器线圈、小型电机、LED灯串等常见负载。极低的输入电容（Ciss最大值50pF @ 10V）确保了快速的开关速度，减少了开关瞬态损耗，适用于高频PWM调光或开关电源中的次级侧同步整流等对开关频率有要求的场合。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合300mW的功率耗散能力，使其能够适应工业级应用的严苛环境。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保元器件来源可靠性的重要途径。

基于上述特性，BSS138TA在电子设计中拥有广泛的应用场景。它常被用于便携式设备、电池供电系统中的负载开关与电源路径管理，实现系统的低功耗待机。在通信模块、物联网传感器节点中，它可作为信号切换或接口保护器件。此外，在模拟开关、电平转换电路以及作为其他大功率MOSFET或IGBT的预驱动器中，也能见到其身影。其表面贴装（SMT）的SOT-23-3封装符合现代电子制造的高密度、自动化生产要求，便于在空间受限的PCB板上进行布局。

• 型号:BSS138TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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