BZT52C9V1-7-F

BZT52C9V1-7-F是一款由Diodes Incorporated设计生产的表面贴装型单齐纳二极管，采用紧凑的SOD-123封装。该器件基于成熟的平面硅工艺制造，其核心是一个经过精确掺杂的PN结，能够在反向击穿区域提供高度稳定的电压基准。其9.1V的标称齐纳电压（Vz）与±6%的电压容差，确保了在规定的电流和温度范围内，输出电压具有良好的一致性和可预测性，这对于需要稳定参考电压或进行电压箝位的电路至关重要。

该器件在功能上表现出优异的性能平衡。其最大齐纳阻抗（Zzt）为15欧姆，这意味着在标称工作电流附近，电压随电流变化的波动较小，从而提供了更“硬”的稳压特性。同时，它在6V反向电压下的反向泄漏电流典型值仅为500nA，展现了出色的关断特性。在正向导通时，其在10mA电流下的正向压降（Vf）为900mV，这一参数对于需要考虑双向保护的电路设计具有参考价值。其最大功耗为500mW，结合其热性能，能够满足大多数低功耗应用的需求。

在接口与参数方面，该芯片的电气特性由其齐纳电压、容差、功率和阻抗等关键参数严格定义。其工作温度范围覆盖-65°C至150°C的宽温域，使其能够适应严苛的工业与汽车电子环境。表面贴装的SOD-123封装不仅节省了PCB空间，也便于自动化生产，提高了组装效率和可靠性。为确保获得原厂品质的正品器件，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

基于其稳定的9.1V稳压能力、紧凑的尺寸和宽工作温度范围，BZT52C9V1-7-F非常适合应用于多种场景。它常被用作电压基准源，为ADC、比较器或低压差稳压器（LDO）提供参考；作为电压箝位或保护元件

• 型号:BZT52C9V1-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):15 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123
• 供应商器件封装:SOD-123
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