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BZX84C18TS-7-F

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BZX84C18TS-7-F技术参数详情:

作为一款采用SOT-363(SC-88)微型表面贴装封装的齐纳二极管阵列,BZX84C18TS-7-F集成了三个独立的齐纳二极管单元于单一芯片之上。这种集成化架构在紧凑的6引脚TSSOP封装内实现了多路电压钳位或基准功能,显著优化了PCB布局空间,尤其适用于高密度电路板设计。其核心基于成熟的平面硅工艺,确保了在-65°C至150°C的宽工作温度范围内,电气参数的一致性与长期可靠性。

该器件每个独立单元的标称齐纳电压(Vz)为18V,并具备±6%的电压容差,为设计提供了合理的精度范围。其最大齐纳阻抗(Zzt)为45欧姆,这一特性意味着在接近击穿电压的工作点时,器件能维持相对稳定的电压输出,对负载变化或输入波动有较好的抑制能力。在反向偏置条件下,当施加电压为12.6V时,其反向泄漏电流典型值低至100nA,体现了良好的关断特性。而在正向导通时,在10mA电流下其正向压降(Vf)约为900mV。

每个二极管单元的最大功耗为200mW,这一额定功率需要结合环境温度降额曲线进行应用考量。其表面贴装形式与微型封装,非常适合自动化贴片生产流程。对于需要可靠、稳定的电压基准、瞬态电压抑制或逻辑电平转换的应用,该器件提供了一个高度集成化的解决方案。用户可通过正规的DIODES授权代理渠道获取该产品,以确保原厂品质与供货支持。

在具体电路设计中,这三个独立单元可以灵活配置,例如用于多路低压差线性稳压器(LDO)的输入过压保护、为微控制器的多个I/O端口提供ESD钳位保护,或作为简单的电压基准源。其工作温度上限高达150°C(结温),使其能够适应汽车电子、工业控制等环境条件较为严苛的场合。尽管该器件已进入停产状态,但在许多现有产品维护或特定设计中,它仍然是实现紧凑型多路电压管理功能的一个经典选择。

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