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BZX84C24TS-7-F

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BZX84C24TS-7-F技术参数详情:

BZX84C24TS-7-F是Diodes Incorporated推出的一款采用SOT-363(SC-88)微型封装的三通道独立式齐纳二极管阵列。该器件集成了三个独立的24V齐纳二极管于单一紧凑的6引脚封装内,其核心设计旨在为空间受限的现代电子设备提供高效、可靠的电压钳位与基准电压功能。每个通道均采用优化的半导体工艺制造,确保了在宽温范围内稳定的齐纳击穿特性。

该器件的一个显著特点是其±6%的电压容差,这为设计提供了良好的电压精度,适用于对基准电压一致性要求较高的场合。其最大齐纳阻抗(Zzt)为70欧姆,有助于在击穿区获得相对平缓的电压-电流曲线,提升稳压性能。在反向偏置条件下,于16.8V电压时典型反向泄漏电流仅为100nA,体现了优异的关断特性。同时,其正向导通电压(Vf)在10mA电流下典型值为900mV,具备常规硅二极管的单向导电功能。整颗器件的最大功耗为200mW,需在设计时注意热管理以确保长期可靠性。

在接口与参数方面,其表面贴装型(SMT)的6-TSSOP封装极大地节省了PCB空间,适合高密度组装。工作温度范围覆盖-65°C至150°C,使其能够适应严苛的工业与汽车电子环境。虽然该产品目前已处于停产状态,但在存量设计或特定备件供应中仍具价值,工程师可通过专业的DIODES芯片代理渠道获取相关库存与技术资料。

该齐纳二极管阵列典型应用于需要多路低功率电压保护的场景,例如在便携式设备的I/O端口保护、电源轨的瞬态电压抑制(TVS补充)、以及作为低精度电压基准源。其多通道独立式设计允许它同时保护三条信号线或电源线,有效防御ESD和电压浪涌,提升系统鲁棒性。在模拟电路或数字逻辑电路中,它也常用于设定偏置电压或进行简单的电平移位。

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