DDZ9V1B-7

DDZ9V1B-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的表面贴装齐纳二极管，采用紧凑型SOD-123封装。该器件基于成熟的平面硅技术构建，其核心在于精确的PN结掺杂工艺，能够在反向击穿区域提供高度稳定的电压基准。其内部架构经过优化，旨在实现低动态阻抗与快速响应特性，确保在负载变化或瞬态条件下维持电压的稳定性，这对于精密电路的保护与调节至关重要。

该齐纳二极管提供8.79V的标称齐纳电压(Vz)，并具备±3%的严格容差，这为设计工程师提供了高精度的电压参考点。其最大功耗为500mW，在典型工作条件下能够平衡性能与尺寸。器件的动态阻抗(Zzt)最大值仅为8 Ohms，这意味着在击穿区工作时，其端电压随电流变化极小，电压调节特性出色。同时，它在7V反向电压下的泄漏电流低至100nA，正向压降(Vf)在10mA电流下为900mV，体现了良好的反向阻断与正向导通效率。

在接口与参数方面，DDZ9V1B-7完全采用表面贴装设计，兼容自动化贴片生产线，有助于提升组装效率并降低生产成本。其宽广的工作温度范围覆盖-65°C至150°C，确保了在严苛工业环境或汽车电子应用中的可靠运行。稳定的性能使其成为从Diodes授权代理处获取原装正品保障的关键元器件之一。

该器件适用于多种需要电压箝位、稳压或瞬态保护的场景。典型应用包括作为电源模块中的次级电压基准、为微控制器或模拟电路的I/O端口提供过压保护、在通信设备的ESD保护电路中作为箝位元件，以及用于汽车电子系统中的电压调节与负载突降保护。其小尺寸和高可靠性使其特别适合空间受限的便携式设备、物联网节点以及高密度PCB设计。

• 型号:DDZ9V1B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 8.79V 470MW SOD123
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):8.79 V
• 容差:±3%
• 功率 - 最大值:470 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):8 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123
• 供应商器件封装:SOD-123
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