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产品参考图片
DGD2190MS8-13 图片
DGD2190MS8-13
  • 制造厂商:Diodes(美台半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DGD2190MS8-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压?-VIL,VIH:0.8V,2.5V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):4.5A,4.5A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):600V
  • 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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