DMC1029UFDB-7

作为一款由Diodes Incorporated推出的高性能MOSFET阵列，DMC1029UFDB-7在紧凑的封装内集成了N沟道与P沟道MOSFET，构成了一个高效的双路开关解决方案。其设计基于先进的半导体工艺，旨在提供优异的导通性能和快速的开关特性，以满足现代便携式电子设备对功率密度和效率的严苛要求。

该器件在12V的漏源电压（Vdss）规格下，其N沟道与P沟道MOSFET分别能提供5.6A和3.8A的连续漏极电流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在5A电流和4.5V栅源电压条件下，其最大值仅为29毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。低栅极阈值电压（Vgs(th)最大值1V）与适中的栅极电荷（Qg最大值19.6nC）相结合，使得芯片能够被低电压逻辑信号轻松驱动，同时保持良好的开关速度，有助于降低驱动电路的复杂性和功耗。

在接口与参数方面，DIODES代理提供的这款芯片采用表面贴装型的6-UDFN超薄DFN封装，极大地节省了PCB空间，非常适合高密度电路板设计。其输入电容（Ciss）最大值为914pF，有助于优化高频开关性能。器件具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和1.4W的最大功耗能力，确保了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性。

凭借其双通道、低导通电阻、小封装和宽温工作的综合特性，DMC1029UFDB-7非常适用于需要高效电源管理和负载开关的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等消费电子产品的电源路径管理、电池保护电路以及电机驱动中的H桥配置。它为设计工程师提供了一个在有限空间内实现高性能功率切换的可靠选择。

• 型号:DMC1029UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A，3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
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