DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated推出的DMC25D0UVT-13是一款采用先进工艺集成的双路MOSFET阵列芯片，其核心架构在一个紧凑的TSOT-26封装内，同时集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET。这种互补对管设计为电路板空间受限的应用提供了高度集成的解决方案，有效减少了外围元件数量和PCB占板面积。芯片内部的两个MOSFET均经过优化匹配，确保了开关特性的一致性，为对称推挽或互补开关电路奠定了良好的硬件基础。

该器件在电气性能上表现出色。其N沟道MOSFET的连续漏极电流可达3.2A，P沟道则为400mA，能够覆盖从信号切换到中等功率路径管理的广泛需求。导通电阻在典型工作条件下表现优异，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。更值得关注的是其卓越的开关特性，最大栅极电荷(Qg)仅为0.7nC，输入电容(Ciss)最大值为26.2pF，这些低电荷参数直接转化为极快的开关速度和极低的驱动损耗，使其非常适合高频PWM应用或需要快速响应的负载开关场景。

在接口与参数方面，DMC25D0UVT-13提供了稳健的电气规格。N沟道和P沟道器件的漏源击穿电压(Vdss)分别为25V和30V，提供了足够的电压裕量。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，与常见的3.3V及5V逻辑电平兼容性良好，便于直接由微控制器或逻辑芯片驱动，无需额外的电平转换电路。器件采用表面贴装型的TSOT-26封装，不仅体积小巧，而且其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合1.2W的最大功耗能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过DIODES授权代理进行采购。

基于其集成化、高效率及快速开关的特性，DMC25D0UVT-13在众多现代电子设备中找到了用武之地。它非常适用于需要高效电源管理的便携式设备，如智能手机、平板电脑中的负载开关和电源路径选择。在DC-DC同步整流转换器中，其互补对管可构成高效的同步整流桥臂。此外，在电机驱动、H桥电路、电池保护模块以及高速数据线路的信号切换与电平转换电路中，该器件都能发挥其空间节省与性能优化的双重优势。

• 型号:DMC25D0UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V，30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA，3.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26.2pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 现在可以订购DMC25D0UVT-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。