DMC2700UDMQ-7

DMC2700UDMQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用SOT-23-6封装、符合AEC-Q101标准的N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列。该器件集成了两个性能匹配的MOSFET，其核心架构针对高密度、高效率的开关应用进行了优化，通过先进的沟槽工艺实现了极低的导通电阻和栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供了卓越的功率处理能力和快速的开关特性。

该芯片的漏源电压（Vdss）为20V，能够满足多种低压系统的需求。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下表现出色，N沟道MOSFET在4.5V Vgs和600mA Id条件下最大为400毫欧，P沟道MOSFET在相同Vgs和430mA Id条件下最大为700毫欧。这种低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值分别为0.74nC和0.62nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态响应，减少了开关损耗，特别适合高频PWM控制应用。

在电气参数方面，器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值分别为1.34A和1.14A，最大功耗为1.12W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V @ 250A，提供了良好的噪声容限和易于驱动的特性。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）结合汽车级（Automotive）认证，使其能够稳定应对严苛的环境挑战，确保在车载电子、工业控制等领域的长期可靠性。表面贴装型SOT-23-6封装也便于自动化生产并节省PCB空间。

该MOSFET阵列典型应用于需要高效率电源转换和信号路径管理的场景。例如，在DC-DC同步整流转换器中，其互补对可分别用于上管和下管开关；在电机驱动、负载开关、电池保护电路以及便携设备中的电源分配系统中，它能有效控制功率流向。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购服务，以保障项目顺利推进。

• 型号:DMC2700UDMQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.34A（Ta），1.14A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V
• 功率 - 最大值:1.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
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