DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能互补型MOSFET阵列，采用先进的沟槽工艺技术，将N沟道与P沟道MOSFET集成于单个8-SOIC封装内。该器件专为需要高效功率切换和紧凑布局的应用而设计，其核心架构实现了在逻辑电平驱动下的优异性能，显著简化了电路设计并节省了宝贵的PCB空间。

该芯片的N沟道与P沟道MOSFET均具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，分别支持高达8.5A和7A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为21毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值低至2.1V，确保了其能够被3.3V或5V的微控制器GPIO端口轻松、可靠地驱动，无需额外的电平转换电路。

在动态特性方面，DMC3021LSD-13表现出色。其最大栅极电荷（Qg）为16.1nC，最大输入电容（Ciss）为767pF，这些较低的开关参数有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电流的要求，从而优化高频开关应用的性能。器件的最大功耗为2.5W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其表面贴装型8-SOIC封装具有优良的热性能和易于自动化生产的特性。

凭借其互补对、逻辑电平兼容以及高效率的特点，该器件非常适合应用于DC-DC转换器（如同步整流和负载点转换）、电机驱动控制、电源管理开关以及电池保护电路等领域。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术支持与供货保障。

• 型号:DMC3021LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 现在可以订购DMC3021LSD-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。