DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道与P沟道MOSFET对管，采用紧凑的SO-8封装。该器件集成了一个30V N沟道MOSFET和一个30V P沟道MOSFET，构成一个高效的互补对管阵列，专为需要在有限空间内实现双向开关或电平转换功能的汽车电子及高可靠性应用而设计。

其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，实现了优异的导通电阻与栅极电荷性能平衡。N沟道器件在10V Vgs驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至20mΩ（7.4A Id），而P沟道器件在相同条件下为45mΩ（5.2A Id）。这种低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值均保持在较低水平，N沟道Qg(max)为4.6nC @ 4.5V，P沟道为5.1nC @ 4.5V，这显著降低了开关损耗，使得器件在高频开关应用中也能保持出色的热性能和能效。

在电气参数方面，该器件漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足常见的12V或24V汽车总线系统的需求。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下，N沟道可达6.5A，P沟道可达4.2A，提供了可观的电流处理能力。高达150°C的结温（TJ）工作范围和AEC-Q101认证确保了其在严苛的汽车环境（如发动机舱、动力总成系统）中的长期可靠性与稳定性。其标准的逻辑电平门限电压（Vgs(th)最大2V @ 250A）使其能够与3.3V或5V的微控制器直接兼容，简化了驱动电路设计。

该芯片典型的应用场景包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、电源路径管理以及DC-DC转换器中的同步整流和高端/低端开关配置。其双MOSFET集成设计节省了PCB空间，减少了元件数量，有助于提升系统集成度和可靠性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品，确保元器件的正宗来源与供货保障。

• 型号:DMC3025LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），4.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V，5.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:501pF @ 15V，590pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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