DMC3026LSD-13

DMC3026LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，集成了两个性能匹配的MOSFET，为需要高效、对称驱动的应用提供了高度集成的解决方案。其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，从而在30V的电压等级下提供优异的功率处理能力和效率。

该芯片的一个显著特点是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压下，N沟道和P沟道器件的典型值分别低至25毫欧和28毫欧（@6A）。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并提升高频工作性能。器件设计工作在-55°C至150°C的宽结温范围，并具备1.6W的功率耗散能力，展现了出色的鲁棒性和可靠性，完全满足汽车电子应用中对环境适应性的严苛要求。

在接口与电气参数方面，DMC3026LSD-13的连续漏极电流能力在特定条件下可达8A以上，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，兼容常见的逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计。其表面贴装型封装便于自动化生产，并优化了PCB布局的空间利用率。对于需要稳定供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供货可靠性的重要途径。

凭借其互补对设计、车规级认证和高性能参数，DMC3026LSD-13非常适合于需要高效率功率转换和电机控制的场景。典型应用包括汽车领域的直流电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关以及半桥或全桥功率级。此外，在工业自动化、电源管理模块和便携式设备的功率路径管理电路中，它也能发挥关键作用，为工程师提供了一种可靠、紧凑的双MOSFET解决方案。

• 型号:DMC3026LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V，10.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V，1241pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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