DMC3028LSDX-13

DMC3028LSDX-13是Diodes Incorporated推出的一款采用紧凑型SO-8封装的双通道MOSFET阵列，集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET于单一芯片内。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其逻辑电平门极驱动设计使其能够与3.3V或5V的微控制器及数字信号处理器直接兼容，极大地简化了驱动电路设计。

该芯片的核心优势在于其优异的电气性能。其N沟道和P沟道MOSFET的连续漏极电流分别可达5.8A和5.5A，漏源击穿电压为30V，适用于多种中低压应用场景。尤为突出的是其极低的导通电阻，在10V Vgs条件下，典型值仅为27毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为13.2nC，输入电容（Ciss）也保持在较低水平，这确保了快速的开关速度，减少了开关过程中的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠性。其表面贴装型SO-8封装具有标准化的引脚排布，便于PCB布局和自动化生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、数据手册及设计资源。其1.2W的最大功耗能力与逻辑电平驱动的特性相结合，使其成为空间受限且对效率有要求的应用的理想选择。

基于上述特性，DMC3028LSDX-13非常适合用于需要高效功率管理和信号切换的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、电池供电设备的电源路径管理，以及服务器、通信设备中的热插拔和OR-ing电路。其双通道互补的设计为构建紧凑、高效的半桥拓扑提供了单芯片解决方案，显著节省了PCB面积并提升了系统可靠性。

• 型号:DMC3028LSDX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A，5.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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