DMC3061SVT-13

DMC3061SVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列。该器件将性能匹配的增强型MOSFET对集成于紧凑的TSOT-26封装内，其核心设计旨在优化同步整流、负载开关及信号路径管理等应用中的开关性能与效率。通过精心的芯片布局与热设计，该阵列在极小的占板面积下实现了优异的电气特性与热可靠性，为高密度PCB设计提供了理想的功率开关解决方案。

该器件的一个显著特性是其极低的导通电阻，N沟道MOSFET在V_GS=10V、I_D=3.1A条件下的R_DS(on)典型值仅为60mΩ，而P沟道在同等测试条件下的典型值为95mΩ。这种低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其优化的栅极电荷（Q_g）与输入电容（C_iss）参数，最大值分别仅为6.8nC和287pF，确保了快速的开关瞬态响应，有效降低了开关损耗，并减轻了驱动电路的设计负担。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计兼容常见的3.3V与5V逻辑电平，便于与微控制器或数字信号处理器直接接口。

在电气参数方面，DMC3061SVT-13的漏源击穿电压（V_DSS）额定为30V，连续漏极电流（I_D）在环境温度下分别可达3.4A（N沟道）与2.7A（P沟道），最大功耗为880mW。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。该器件采用符合行业标准的表面贴装TSOT-26封装，具有良好的焊接可靠性与散热性能。对于需要稳定供货与技术支持的客户，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保产品原装正品并获得完整的应用支持。

凭借其互补对结构、优异的开关性能与紧凑封装，该芯片非常适合应用于需要高效功率路径管理的场景。典型应用包括便携式设备的电源管理单元（PMU）、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流级、电机驱动H桥中的预驱动器，以及数据通信设备中的信号切换与电平转换电路。其设计充分考虑了现代电子系统对高效率、小尺寸及高可靠性的综合需求。

• 型号:DMC3061SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），2.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V，6.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V，287pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
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