DMC3071LVT-13

DMC3071LVT-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能互补型MOSFET阵列，采用先进的工艺技术，将N沟道和P沟道MOSFET集成于同一微型封装内。该器件采用TSOT-26（即SOT-23-6细型）封装，在紧凑的占板面积内实现了优异的电气性能与热性能平衡，专为空间受限且对效率有高要求的现代电子设备设计。

其核心架构集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，构成互补对。这种集成设计简化了电路布局，减少了外部元件数量，并提升了开关速度与信号完整性。得益于优化的芯片设计与封装技术，该器件在漏源电压（Vdss）高达30V的条件下，能提供出色的电流处理能力，N沟道在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)可达4.6A，P沟道可达3.3A。更关键的是，其导通电阻（RDS(on)）极低，N沟道在10V Vgs、3.5A Id条件下典型值仅为50毫欧，P沟道在同等条件下为95毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

在开关特性方面，DMC3071LVT-13表现出色。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值分别为4.5nC和6.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss最大值分别为190pF和254pF @ 15V）确保了快速的开关转换和极低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为700mW，表面贴装形式适合自动化生产。

凭借其高集成度、高效率和高可靠性，该芯片非常适合用于需要高效功率管理和信号切换的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式设备的负载开关、电源路径管理、电机驱动H桥电路中的半桥以及DC-DC转换器中的同步整流和高端/低端开关。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

• 型号:DMC3071LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta），3.3A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V，95 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 10V，6.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 15V，254pF @ 15V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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