DMC4050SSD-13

DMC4050SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的功率开关阵列芯片。该器件采用先进的沟槽工艺技术，将一对互补的增强型MOSFET集成在紧凑的8引脚SOIC封装内，实现了高效率的功率转换与信号切换功能。其核心优势在于为设计工程师提供了一个高度集成、节省空间的解决方案，特别适用于需要同时控制高低侧或进行极性转换的电路，有效减少了外部元件数量并简化了PCB布局。

该芯片的N沟道与P沟道MOSFET均设计为逻辑电平驱动，最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为1.8V，这意味着它们可以直接由3.3V或5V的微控制器、逻辑芯片等低电压信号源高效驱动，无需额外的电平转换电路，显著降低了系统复杂性和成本。在电气性能方面，每个MOSFET的连续漏极电流(Id)额定值高达5.3A，漏源击穿电压(Vdss)为40V，能够满足广泛的工业和消费类应用中对中等功率处理能力的需求。其导通电阻(RDS(on))在10V Vgs和3A Id条件下典型值低至45毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热，提升了系统的整体能效。

在动态特性上，栅极总电荷(Qg)最大值控制在37.56nC，结合1790.8pF的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器）至关重要，有助于提高开关频率并减小无源元件的尺寸。芯片采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.8W，提供了可靠的鲁棒性以适应苛刻的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其互补对结构、逻辑电平兼容性以及优异的开关性能，DMC4050SSD-13非常适合用于构建半桥或全桥拓扑中的高边/低边驱动器、电机控制中的H桥电路、电源管理中的负载开关和OR-ing功能，以及电池供电设备中的极性保护和电源路径管理。它在空间受限的便携式设备、工业自动化模块、通信基础设施的板级电源中都能发挥关键作用，是实现高效、紧凑型功率电子设计的理想选择。

• 型号:DMC4050SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.56nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790.8pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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