DMC6070LND-13

DMC6070LND-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道与P沟道MOSFET对管阵列。该器件集成于紧凑的8-PowerVDFN封装内，其设计核心在于优化了功率密度与开关性能的平衡。通过精心的芯片布局与热设计，它在单一封装内实现了互补的功率开关功能，为需要同步整流或半桥拓扑的电路提供了高度集成的解决方案，有效节省了PCB空间并简化了布局。

该器件的一个显著特点是其优异的导通电阻特性，在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至85毫欧。这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗，提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为11.5nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。结合731pF @ 20V的输入电容，使得该MOSFET对管能够被标准栅极驱动器高效驱动，减少了驱动电路的设计复杂性。

在电气参数方面，Diodes Incorporated的这款产品具备60V的漏源击穿电压，为设计提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在25°C下分别达到3.1A (N沟道) 和2.4A (P沟道)，能够处理可观的负载电流。最大栅源阈值电压Vgs(th)为3V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力和与逻辑电平的兼容性。其最大功耗为1.4W，宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的封装形式符合现代自动化生产要求，如需获取样品或技术支持，可以联系DIODES中国代理。

基于其性能组合，DMC6070LND-13非常适合应用于空间受限且对效率有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和功率开关，特别是笔记本适配器、POL（负载点）模块和分布式电源架构。此外，它也适用于电机驱动中的H桥电路、电池保护电路以及需要互补开关功能的各类电源管理模块。其稳健的设计使其成为工业控制、消费电子和通信设备中提升功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:DMC6070LND-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
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