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产品参考图片
DMG1012TQ-7 图片
DMG1012TQ-7
  • 制造厂商:Diodes(美台半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SOT-523
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DMG1012TQ-7
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):630mA(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±6V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):280mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SOT-523
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