DMG1012UW-7

DMG1012UW-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优化平衡。内部结构经过精心设计，以最小化寄生电容和栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供高效的功率处理能力。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C环境温度下可支持高达1A的连续漏极电流(Id)，适用于低电压、中等电流的开关与控制应用。其关键优势在于优异的导通性能，在Vgs为4.5V、Id为600mA的条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为450毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其能够与多种低压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMG1012UW-7表现出色。在Vgs为4.5V时，其最大栅极总电荷(Qg)仅为0.74nC，结合最大输入电容(Ciss)为60.67pF @ 16V，这些低电荷特性确保了极快的开关速度和低开关损耗，特别适合高频开关应用。器件的栅源电压(Vgs)最大额定值为±6V，提供了安全的驱动裕度。其最大功耗为290mW (Ta)，采用表面贴装型的SOT-323封装，具有优异的散热性能和极小的占板面积，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理进行采购与咨询。

综合其技术参数，DMG1012UW-7非常适合于空间受限且对效率有要求的便携式电子设备、电池供电系统以及作为主板上的负载开关。其典型应用场景包括电源管理模块中的DC-DC转换器次级侧同步整流、低侧开关、电机驱动控制、LED背光驱动以及各类需要高效功率切换的消费类电子产品、物联网设备模块和手持仪器。

• 型号:DMG1012UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 现在可以订购DMG1012UW-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。