DMG1013T-7

DMG1013T-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在微型的SOT-523封装内集成了高性能的栅极控制结构和优化的沟道设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定的电气性能，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该器件的一个显著功能特点是其极低的栅极驱动要求。其最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为1V，并且能够在低至1.8V的驱动电压下实现有效导通，这使得它非常适合由低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V MCU GPIO）直接驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，从而简化了系统设计。在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值非常低，在350mA的漏极电流下最大仅为700毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗和发热，提升整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为0.622nC，结合59.76pF的输入电容，意味着开关过程中的充放电时间极短，可实现高速的开关动作，适用于需要频繁切换的应用。

在接口与关键参数方面，Diodes Incorporated的这款产品提供了稳健的规格。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，能够安全地用于常见的12V或更低电压的电源总线。连续漏极电流(Id)在环境温度下额定为460mA，足以驱动中小功率的负载。器件采用表面贴装型的SOT-523封装，占板面积极小，非常适合空间受限的便携式电子产品。其栅源电压最大可承受±6V，提供了良好的抗噪余量。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其低电压驱动、低导通损耗和小型化封装的特点，DMG1013T-7非常适用于电池供电的便携设备、物联网(IoT)模块、可穿戴设备中的电源管理功能，如负载开关、电源路径切换和低侧开关。它也常被用于信号电平转换、电机驱动辅助电路以及各类消费电子和工业控制模块中，作为高效的功率控制单元，在提升系统能效和可靠性方面发挥着关键作用。

• 型号:DMG1013T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):460mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 350mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.622 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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