DMG1013UW-7

DMG1013UW-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装在紧凑的SOT-323表面贴装封装内。其核心架构基于成熟的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，为空间受限的现代电子设备提供了高效的功率开关解决方案。

该器件在4.5V的低栅极驱动电压下即可实现优异的导通性能，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为750毫欧（在430mA， 4.5V条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了与低电压逻辑电路（如1.8V或3.3V微控制器GPIO）的出色兼容性，无需额外的电平转换电路。其极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为0.622nC @ 4.5V，以及较小的输入电容（Ciss），共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DMG1013UW-7具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和820mA的连续漏极电流（Id）能力，足以应对常见的低压电源轨和信号切换需求。其栅源电压（Vgs）额定值为±6V，提供了安全的操作裕量。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并在环境温度下最大功耗为310mW，展现了良好的热稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其小尺寸、低驱动电压和高效率的特点，DMG1013UW-7非常适合于便携式电子产品、电池供电设备以及空间紧凑的模块中，典型应用包括负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、低侧开关、电机驱动辅助电路以及信号隔离与切换。它是设计师在追求高功率密度和能效的系统中，实现可靠功率控制的理想选择。

• 型号:DMG1013UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.622 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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