DMG10N60SCT

DMG10N60SCT是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面硅MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220AB通孔封装中。该器件专为高效能开关应用而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，适用于市电整流后高压母线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，结合178W的最大功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、5A漏极电流条件下典型值仅为750毫欧，较低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗，对于提升效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于在高频开关电路中工作。

在电气参数方面，该MOSFET的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。其驱动电压（Vgs）范围为±30V，为栅极驱动设计提供了灵活性。输入电容（Ciss）最大值为1587pF @ 16V，这一参数与栅极电荷共同影响着开关动态性能。器件的工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号及相关的技术支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，DMG10N60SCT非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器、高频DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和能源转换效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的优选器件之一。

• 型号:DMG10N60SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1587 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:178W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
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