DMG2302UK-13

DMG2302UK-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件设计用于在低栅极驱动电压下高效工作，其阈值电压与导通电阻的优化组合，使其特别适合由微控制器或低电压逻辑电路直接驱动的应用场景。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，为常见的12V或5V系统提供了充足的设计余量。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达2.8A，使其能够处理可观的负载电流。其关键优势在于极低的导通损耗，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为3.6A的条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为90毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更高的系统效率。此外，其栅极驱动要求非常友好，最大栅源阈值电压(Vgs(th))在250A漏极电流下仅为1V，而2.5V的驱动电压即可确保器件进入低阻导通状态，完美兼容3.3V及以上的逻辑电平。

在动态特性方面，DIODES代理提供的技术资料显示，该器件在10V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值仅为2.8nC，同时输入电容(Ciss)最大值也控制在130pF @ 10V。这些低电荷和电容参数意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，有助于提升高频开关应用的性能并简化驱动电路设计。器件的栅源电压耐受范围为±12V，为驱动设计提供了灵活性。其采用标准的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB上布局。该器件属于Automotive, AEC-Q101产品系列，通过了严格的汽车级可靠性认证，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和长寿命。

基于其优异的电气参数、紧凑的封装和汽车级的可靠性，DMG2302UK-13非常适合一系列要求高效率、高可靠性的应用。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，以降低导通损耗。在电机驱动、电磁阀控制等功率开关电路中，它能提供快速的响应和可靠的电流处理能力。此外，在电池管理系统(BMS)、便携式设备的负载管理、汽车电子模块（如车身控制、照明驱动）以及工业自动化控制系统中，它都是一个理想的高性价比功率开关解决方案。

• 型号:DMG2302UK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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