DMG2302UKQ-13

作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率器件，DMG2302UKQ-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。这种设计在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能平衡，通过降低栅极电荷和导通电阻，显著提升了开关效率和功率密度。该器件能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，其坚固的架构确保了在严苛的汽车电子环境下的高可靠性，满足了对元器件寿命和稳定性的严格要求。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低导通损耗与快速开关性能上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻典型值低至90毫欧（@3.6A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为2.8nC，结合130pF的输入电容，使得器件能够实现高速的开关切换，有效减少了开关过程中的能量损失，这对于高频应用至关重要。其阈值电压最大值为1V，确保了在低电压逻辑信号下的可靠开启。

在接口与关键参数方面，DMG2302UKQ-13定义了明确的电气边界。其漏源击穿电压为20V，连续漏极电流额定值为2.8A，最大栅源电压为±12V，为设计提供了充足的安全裕度。表面贴装的SOT-23封装形式，占用极小的PCB面积，非常适合高密度布局。其功率耗散能力为660mW，在提供足够功率处理能力的同时，也要求设计者充分考虑散热路径。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取完整的技术支持和供货保障。

基于上述技术特性，该器件主要面向空间受限且对效率要求高的应用场景。在汽车电子领域，它非常适合用于车身控制模块、LED照明驱动、传感器电源开关等低压负载开关和功率路径管理。在消费电子和便携式设备中，如智能手机、平板电脑的电源管理、电池保护电路和DC-DC转换器的同步整流侧，其低导通电阻和快速开关特性有助于延长电池续航并减小方案尺寸。此外，在工业控制的小型电机驱动、继电器驱动等场合，其高可靠性和稳健性也能发挥重要作用。

• 型号:DMG2302UKQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T\\u0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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