DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。该器件属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，确保了在严苛环境下的高可靠性与长期稳定性，满足汽车电子应用对元器件质量的严格要求。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C环境温度下可支持高达2.8A的连续漏极电流(Id)，为负载开关和功率路径管理提供了充足的电流余量。其关键优势在于极低的导通电阻，在4.5V驱动电压(Vgs)和3.6A测试条件下，Rds(on)最大值仅为90毫欧，这显著降低了器件在导通状态下的功率耗散。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1V，并且栅极电荷(Qg)最大值在10V条件下仅为2.8nC，结合130pF的最大输入电容(Ciss)，使得该器件能够被微控制器或低功耗逻辑电路轻松、快速地驱动，非常适合由电池供电或需要高频开关的应用场景。

在电气参数与接口方面，DMG2302UKQ-7的驱动电压范围宽泛，推荐工作栅源电压在2.5V至4.5V之间以获得最佳导通性能，其最大栅源电压可承受±12V，提供了良好的抗干扰能力。器件的最大功率耗散为660mW，结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了在高温环境下的稳定运行。其采用标准的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB布局中进行高密度安装。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品和技术支持。

基于其高性能与小尺寸的组合，DMG2302UKQ-7广泛应用于各类低压DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制、电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路，以及便携式设备、物联网模块和汽车辅助系统中的电源分配单元。其汽车级品质使其尤其适用于对可靠性有极高要求的车身控制模块、照明系统和信息娱乐系统等车载电子设备。

• 型号:DMG2302UKQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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