DMG2305UX-13

DMG2305UX-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了高性能的功率开关与控制功能，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的电源管理。其架构优化了栅极电荷与导通电阻的平衡，使得在较低的栅极驱动电压下即可实现优异的开关性能，这对于由低压逻辑电路直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和4.2A的连续漏极电流(Id)能力，为低压、大电流的开关应用提供了可靠的保障。其关键特性在于极低的导通电阻，在4.5V的栅源电压(Vgs)和4.2A的漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为52毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为900mV，且驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其能够完美兼容1.8V、3.3V及5V等现代低压微控制器和逻辑电路的GPIO端口，实现无需电平转换的直接驱动，简化了电路设计。

在动态参数方面，DMG2305UX-13表现出色，在4.5V Vgs下的总栅极电荷(Qg)最大值仅为10.2nC，配合808pF的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关切换速度和较低的开关损耗，特别适合高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装的SOT-23封装形式，使其非常适合于空间受限的便携式电子设备。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与设计资源。

基于其优异的电气性能和封装优势，这款MOSFET非常适合应用于负载开关、电源管理单元(PMU)、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关，以及便携设备中的电机驱动等场景。其低导通电阻和高电流处理能力，使其成为需要高效功率路径管理的USB供电设备、移动电源、笔记本电脑和平板电脑等消费类电子产品的理想选择。

• 型号:DMG2305UX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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