DMG302PU-13

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的P沟道增强型功率MOSFET，DMG302PU-13采用了先进的平面MOSFET工艺技术。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过在硅衬底上形成高质量的栅极氧化层和沟道区域，实现了对载流子（空穴）的高效控制。这种结构确保了器件在低电压驱动下具备出色的开关性能与导通特性，其栅极阈值电压典型值较低，便于与各类逻辑电平直接兼容。

该器件在功能上表现出显著优势。其最大漏源电压（Vdss）为25V，连续漏极电流（Id）可达170mA，为低压小功率应用提供了可靠的开关能力。尤为突出的是其低导通电阻特性，在Vgs=4.5V、Id=200mA的条件下，Rds(on)最大值仅为10欧姆，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值0.35nC）和输入电容（Ciss最大值27.2pF）意味着其开关速度极快，所需的栅极驱动能量极小，非常适合高频开关或需要快速响应的控制电路。

在接口与关键参数方面，DIODES芯片代理提供的技术资料显示，DMG302PU-13的驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为2.7V至4.5V，可与3.3V或5V微控制器端口无缝对接。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了充足的设计余量。器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB上布局。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗为320mW，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

基于上述特性，DMG302PU-13非常适合应用于需要高效电源管理或信号路径切换的场合。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关、电源隔离和电池反接保护电路。在低功耗的物联网（IoT）模块、传感器供电管理以及消费类电子产品的子模块功率控制中，它也能发挥关键作用，以其小尺寸、低功耗和高性价比满足现代电子设计对空间与能效的极致追求。

• 型号:DMG302PU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.2 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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