DMG3402LQ-13

DMG3402LQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在紧凑的SOT-23封装内提供卓越的开关性能和导通效率，其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，确保了在低栅极驱动电压下也能实现大电流处理能力。

该MOSFET具备多项关键特性，使其在众多应用中表现出色。其最大漏源电压（V_DSS）为30V，连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_A）下可达4A，为负载开关和电机控制等应用提供了充足的电压和电流裕量。其低导通电阻特性尤为突出，在10V栅源电压（V_GS）和4A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为52mΩ，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值低至1.4V，结合最大仅11.7nC的栅极电荷（Q_g），意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、快速地驱动，从而实现高效的开关操作并减少开关损耗。

在电气参数与接口方面，该器件设计稳健。其栅源电压（V_GS）最大可承受±12V，增强了栅极驱动的可靠性。输入电容（C_iss）在15V漏源电压下最大值为464pF，较低的电容值有助于进一步优化高速开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.4W，结合表面贴装的SOT-23封装，使其能够适应严苛的工业与汽车环境下的高密度PCB布局要求。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过DIODES授权代理获取此型号产品。

基于其优异的性能与可靠性认证，DMG3402LQ-13非常适合于需要高效率、小尺寸解决方案的领域。典型应用包括汽车电子模块中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵阀控制）、电源管理电路中的DC-DC转换器同步整流、电池保护电路以及便携式设备中的功率分配开关。其AEC-Q101认证使其成为汽车12V系统、车身控制模块、信息娱乐系统等对元件可靠性有严格要求的应用的理想选择。

• 型号:DMG3402LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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