DMG3402LQ-7

DMG3402LQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。内部架构优化了单元密度和沟道迁移率，确保了在低栅极驱动电压下即可获得高电流处理能力，同时有效控制了寄生电容，这对于提升开关效率、降低开关损耗至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)在环境温度25°C下可达4A，为中小功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))表现卓越，在10V栅源电压(Vgs)和4A漏极电流条件下，典型值仅为52毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.4V，配合2.5V即可获得较低的导通电阻，使其能够与3.3V及5V逻辑电平的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMG3402LQ-7同样表现出色。其栅极总电荷(Qg)在10V条件下最大值仅为11.7nC，输入电容(Ciss)在15V下最大值为464pF，这些低电荷和电容特性意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动功耗，特别适用于高频开关应用。器件的栅源电压可承受±12V，提供了良好的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用的严苛可靠性要求。对于需要稳定供货和完整技术支持的项目，通过DIODES一级代理进行采购是可靠的选择。

基于其优异的性能组合，该器件非常适合用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制、电池管理系统中的充放电控制电路，以及各类便携式设备、消费电子和汽车辅助系统中的功率管理单元。其SOT-23封装形式非常适合高密度PCB布局，帮助工程师在性能、尺寸和成本之间取得最佳平衡。

• 型号:DMG3402LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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