DMG3406L-7

DMG3406L-7 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了可靠的栅极氧化层和低阻抗的金属化源漏结构，确保了在宽温度范围内的稳定电气性能。其设计重点在于最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件在电气特性上表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达30V，能够满足多种低压应用场景的耐压需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.6A，展现出较强的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）是关键性能指标，在Vgs=10V、Id=3.6A的条件下，最大值仅为50毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于减少发热并提升能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在动态参数方面，DMG3406L-7 的栅极总电荷（Qg）在Vgs=10V时最大值为11.2nC，输入电容（Ciss）在Vds=15V时最大值为495pF，这些较低的电荷和电容值共同促成了快速的开关速度，减少了开关过渡时间，从而降低了开关损耗并允许更高频率的操作。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。器件的最大功耗为770mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在苛刻环境下的可靠运行。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以咨询专业的DIODES代理。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。它常见于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，能够有效降低导通压降。在便携式电子设备的电源管理模块、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类低压大电流的开关电路中，DMG3406L-7 都能提供高效、可靠的功率切换解决方案。其表面贴装的SOT-23封装也使其易于集成到高密度的PCB布局中，满足现代电子产品小型化的设计趋势。

• 型号:DMG3406L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:495 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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