DMG3413L-7

DMG3413L-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。其工艺技术确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，为空间受限且对功耗敏感的设计提供了高性能的解决方案。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，能够满足多种低压电路的功率处理需求。其关键优势在于极低的导通特性，在4.5V栅源电压(Vgs)驱动下，导通电阻(Rds(on))典型值低至95毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V，并且支持低至1.8V的驱动电压即可获得良好的导通效果，这使得它能完美兼容现代低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V MCU），无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计。

在动态参数方面，DIODES代理提供的详细规格书显示，其在4.5V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值仅为9nC，结合857pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极快的开关速度和极低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。器件的栅源电压耐受范围为±8V，提供了足够的驱动安全裕度。其最大功耗为700mW，采用表面贴装形式，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的鲁棒性。

综合其电气特性与封装优势，DMG3413L-7非常适用于需要高效功率切换或负载管理的便携式设备、电池供电系统以及分布式电源架构中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式医疗设备中的电源路径管理、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类嵌入式系统中的电机驱动或继电器替代。其SOT-23封装为工程师在有限的PCB空间内实现高性能功率控制提供了理想选择。

• 型号:DMG3413L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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