DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用微型DFN2015H4-3封装，其紧凑的尺寸（2.0mm x 1.5mm）和低剖面高度使其成为空间受限的便携式和可穿戴电子产品的理想选择。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能，在1.8V的低栅极驱动电压下即可有效开启，显著降低了栅极驱动的设计复杂度和系统功耗。

该MOSFET的突出功能特点在于其优异的电气参数平衡。其漏源电压（Vdss）额定值为16V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达2.5A，能够满足多数低压、中电流的负载开关或电源路径管理需求。其导通电阻（Rds(on)）在4.5V Vgs和4A Id条件下典型值仅为39毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC @ 4.5V，结合281.9pF @ 10V的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的动态损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，该器件设计用于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了安全的操作裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，保证了与低电压逻辑电平（如1.8V， 3.3V）的兼容性，可直接由微控制器（MCU）或专用电源管理IC驱动，无需额外的电平转换电路。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取该器件的详细规格书或采购支持，可以联系专业的DIODES代理。

基于其技术特性，DMG3415UFY4-7非常适合应用于电池供电设备、便携式消费电子产品以及物联网（IoT）模块中，具体场景包括但不限于：负载开关、电源隔离、电池反接保护、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其小尺寸和低功耗特性也使其成为智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备内部进行功率分配和管理的优选元件。尽管该产品已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类低压P-MOSFET的应用提供了重要参考。

• 型号:DMG3415UFY4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN2015H4-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:16 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN2015H4-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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