DMG3418L-13

DMG3418L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。其紧凑的SOT-23封装内集成了高性能的硅芯片，通过优化的单元结构和沟道设计，确保了在有限的芯片面积下能够高效处理高达4A的连续电流，同时维持较低的功率损耗和温升。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压额定值为30V，适用于常见的低压直流电源环境。最关键的优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和4A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为60毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压典型值较低，最大值为1.5V @ 250A，结合仅需2.5V即可获得较低导通电阻的特性，使其能够与3.3V或5V逻辑电平的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。极低的栅极电荷（Qg最大值5.5nC @ 4.5V）和输入电容，则显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了开关频率潜力，使其在高频开关应用中表现优异。

在接口与参数方面，该器件采用标准的SOT-23三引脚表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境温度变化。最大允许栅源电压为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。功率耗散能力在环境温度下为1.4W，结合其低热阻封装，确保了可靠的散热性能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取完整的技术资料、样品以及批量供货支持。

基于其优异的性能组合，DMG3418L-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子设备中。典型应用场景包括DC-DC同步整流或负载开关、电机驱动控制模块、电池管理系统中的充放电保护电路、便携式设备中的电源路径管理，以及各类需要高效功率切换的消费类电子产品和工业控制模块。其小尺寸、高电流能力和出色的开关特性，使其成为工程师在紧凑型、高效率电源和功率控制设计中的理想选择。

• 型号:DMG3418L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464.3 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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